在CES 2019展会上,金士顿正式发布了他们的A2000和KC2000系列NVMe固态硬盘,与上一代产品相比,每款固态硬盘都具有更高的性能。新的SSD现在都使用64层3D TLC NAND,并且已经从Phison控制芯片切换到更新的Silicon Motion控制芯片。 A2000还采用了PCIe 3.0 x4配置,允许NVMe SSD访问更多带宽以提高传输速度。

两款新SSD都将提供256GB,512GB和1TB型号,高端KC2000 SSD也提供2TB版本。较低价格的A2000将提供2000 / 1500MB/s的连续读/写速度,而KC2000将提供3000 / 2000MB/s的连续读/写速度。下表详细说明了这些规范与上一代产品的对比情况。

这两款SSD预计将在3月底或4月初上市。定价信息和其他规格将在稍后公布。

2019年的NVME固态硬盘性能到了什么水平?

2019年的NVME固态硬盘性能到了什么水平?


2019年的NVME固态硬盘性能到了什么水平?

PCIE gen4的规范目前尚末在显卡上普及(实际上PCIE gen3 X 8通道都够喂饱显卡了),而且最先来到了固态硬盘。同时,这个主控是8通道,支持DDR4(貌似也是全球第一个~),支持TLC和QLC。

测试中采用了一个250GB容量的样品,颗粒末知,最高读取为4071MB/s,最高写入为4224MB/s,温度仅为37度!所以,推测用了比较先进的生产工艺。

群联董事长潘健成指出PS5016-E16是群联最新一代以及目前市场上唯一的PCIe Gen4x4 NVMe SSD旗舰控制芯片,搭配群联第四代LDPC的纠错引擎 (ECC Engine)以及最新的3D NAND Flash (闪存) 技术,最高连续读写效能超过4000MB/s。而这一波由5G带出的相关应用,包含云端运算 (Cloud Computing)、自动驾驶、智能医疗、智慧家居、智能物联网等,在数据数据不断倍增的趋势下,储存的需求不仅不断增加,更是所有运算应用中不可或缺的。